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中科院 1區(qū) 期刊 JCR Q1 期刊 中科院 2區(qū) 期刊 JCR Q2 期刊 中科院 3區(qū) 期刊 JCR Q3 期刊 中科院 4區(qū) 期刊 JCR Q4 期刊Microelectronic Engineering SCIE
國際簡稱：MICROELECTRON ENG 參考譯名：微電子工程
主要研究方向：工程技術(shù)-工程：電子與電氣 非預(yù)警期刊 審稿周期： 約6.0個月
《微電子工程》(Microelectronic Engineering)是一本由Elsevier出版的以工程技術(shù)-工程：電子與電氣為研究特色的國際期刊，發(fā)表該領(lǐng)域相關(guān)的原創(chuàng)研究文章、評論文章和綜述文章，及時報道該領(lǐng)域相關(guān)理論、實(shí)踐和應(yīng)用學(xué)科的最新發(fā)現(xiàn)，旨在促進(jìn)該學(xué)科領(lǐng)域科學(xué)信息的快速交流。該期刊是一本未開放期刊，近三年沒有被列入預(yù)警名單。
- 4區(qū) 中科院分區(qū)
- Q2 JCR分區(qū)
- 100 年發(fā)文量
- 2.6 IF影響因子
- 未開放 是否OA
- 89 H-index
- 1983 創(chuàng)刊年份
- Monthly 出版周期
- English 出版語言
Microelectronic Engineering is the premier nanoprocessing, and nanotechnology journal focusing on fabrication of electronic, photonic, bioelectronic, electromechanic and fluidic devices and systems, and their applications in the broad areas of electronics, photonics, energy, life sciences, and environment. It covers also the expanding interdisciplinary field of "more than Moore" and "beyond Moore" integrated nanoelectronics / photonics and micro-/nano-/bio-systems. Through its unique mixture of peer-reviewed articles, reviews, accelerated publications, short and Technical notes, and the latest research news on key developments, Microelectronic Engineering provides comprehensive coverage of this exciting, interdisciplinary and dynamic new field for researchers in academia and professionals in industry.
Microelectronic Engineering期刊信息
- ISSN：0167-9317
- 出版語言：English
- 是否OA：未開放
- E-ISSN：1873-5568
- 出版地區(qū)：NETHERLANDS
- 是否預(yù)警：否
- 出版商：Elsevier
- 出版周期：Monthly
- 創(chuàng)刊時間：1983
- 開源占比：0.0341
- Gold OA文章占比：15.94%
- OA被引用占比：0.1274...
- 出版國人文章占比：0.14
- 出版撤稿占比：0
- 研究類文章占比：91.00%
Microelectronic Engineering CiteScore評價數(shù)據(jù)（2024年最新版）
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指數(shù) | ||||||||||||||||||||||||
| 5.3 | 0.503 | 0.847 |
|
名詞解釋：CiteScore 是衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù)，是在 Scopus 中衡量期刊影響力的另一個指標(biāo)。當(dāng)年CiteScore 的計算依據(jù)是期刊最近4年（含計算年度）的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻(xiàn)數(shù)。例如，2022年的 CiteScore 計算方法為：2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的對2019-2022年發(fā)表的文件的引用數(shù)量÷2019-2022年發(fā)布的文獻(xiàn)數(shù)量 注：文獻(xiàn)類型包括：文章、評論、會議論文、書籍章節(jié)和數(shù)據(jù)論文。
Microelectronic Engineering中科院評價數(shù)據(jù)
中科院 2023年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學(xué)科 | 小類學(xué)科 | ||
| 否 | 否 | 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) |
中科院 2022年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學(xué)科 | 小類學(xué)科 | ||
| 否 | 否 | 工程技術(shù) | 3區(qū) | OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) |
中科院 2021年12月舊的升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學(xué)科 | 小類學(xué)科 | ||
| 否 | 否 | 工程技術(shù) | 3區(qū) | OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) |
中科院 2021年12月基礎(chǔ)版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學(xué)科 | 小類學(xué)科 | ||
| 否 | 否 | 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) |
中科院 2021年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學(xué)科 | 小類學(xué)科 | ||
| 否 | 否 | 工程技術(shù) | 3區(qū) | OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) |
中科院 2020年12月舊的升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學(xué)科 | 小類學(xué)科 | ||
| 否 | 否 | 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) |
Microelectronic Engineering JCR評價數(shù)據(jù)（2023-2024年最新版）
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 157 / 352 |
55.5% |
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q3 | 94 / 140 |
33.2% |
| 學(xué)科：OPTICS | SCIE | Q2 | 45 / 119 |
62.6% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 81 / 179 |
55% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 179 / 354 |
49.58% |
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q3 | 74 / 140 |
47.5% |
| 學(xué)科：OPTICS | SCIE | Q3 | 64 / 120 |
47.08% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 88 / 179 |
51.12% |
Microelectronic Engineering歷年數(shù)據(jù)統(tǒng)計
影響因子
中科院分區(qū)
Microelectronic Engineering中國學(xué)者發(fā)文選摘
-
1、Investigation of trapping/de-trapping dynamics of surface states in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors based on dual-gate structures
Author: Luan, Tiantian; Jiang, Qimeng; Huang, Sen; Wang, Xinhua; Jin, Hao; Guo, Fuqiang; Yao, Yixu; Fan, Jie; Yin, Haibo; Wei, Ke; Li, Yankui; Jiang, Haojie; Li, Junfeng; Liu, Xinyu
Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 269, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111916
-
2、Soybean-based memristor for multilevel data storage and emulation of synaptic behavior
Author: Wang, Lu; Li, Wenhao; Wen, Dianzhong
Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 267, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111911
-
3、La-doped BiFeO3 junction based random access multilevel nonvolatile memory
Author: Li, Dong; Zhu, Xiaodong; Wu, Yanan; Zhao, Jian; Zhang, Kaimin; Li, Rui; Hao, Danni; Ma, Yanqing; Moro, Ramiro; Ma, Lei
Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 267, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111908
-
4、A dual-mass fully decoupled MEMS gyroscope with optimized structural design for minimizing mechanical quadrature coupling
Author: Wu, Zhongye; Feng, Ronghui; Sun, Chengliang; Wang, Peng; Wu, Guoqiang
Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 269, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111918
-
5、Dynamical analysis, circuit implementation, and simultaneous application of a novel four-dimensional hyperchaotic system based on cosine functions
Author: Zhang, Jie; Hou, Jinyou; Xu, Longhao; Zhu, Xiaopeng; Xie, Qinggang
Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 271, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111939
-
6、Machine learning algorithm for the structural design of MEMS resonators
Author: Gu, Liutao; Zhang, Weiping; Lu, Haolin; Wu, Yuting; Fan, Chongyang
Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 271, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111950
-
7、The insight and evaluation of ultra-scaled sub-1 nm gate length transistors
Author: Tian, He; Shen, Yang; Yan, Zhaoyi; Liu, Yanming; Wu, Fan; Ren, Tian-Ling
Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 273, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111963
-
8、Simulation study of zone-height limit by electron beam lithography for 30 nm Fresnel zone plates in X ray optics
Author: Chen, Qiucheng; Mu, Chengyang; Tong, Xujie; Zhao, Jun; Wu, Qingxin; Chen, Yifang
Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 273, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111965
Microelectronic Engineering同類期刊
-
應(yīng)用熱工
Applied Thermal Engineering
中科院 2區(qū) JCR Q1
-
熱科學(xué)與工程進(jìn)展
Thermal Science And Engineering Progress
中科院 3區(qū) JCR Q1
-
巖土學(xué)報
Acta Geotechnica
中科院 1區(qū) JCR Q1
-
分離純化技術(shù)
Separation And Purification Technology
中科院 1區(qū) JCR Q1
-
IEEE工業(yè)電子交易
Ieee Transactions On Industrial Electronics
中科院 1區(qū) JCR Q1
-
工程快報
Engineering Letters
中科院 4區(qū) JCR Q4
-
科學(xué)儀器回顧
Review Of Scientific Instruments
中科院 4區(qū) JCR Q3
-
國際熱科學(xué)雜志
International Journal Of Thermal Sciences
中科院 2區(qū) JCR Q1
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