Journal of Semiconductors期刊信息

• 出版語(yǔ)言：英語(yǔ)
• 創(chuàng)刊時(shí)間：1980年
• 國(guó)際刊號(hào)：1674-4926
• 曾用名：半導(dǎo)體學(xué)報(bào)(英文版);半導(dǎo)體學(xué)報(bào);Chinese Journal of Semiconductors
• 紙張開(kāi)本：A4
• 國(guó)內(nèi)刊號(hào)：11-5781/TN
• 出版地區(qū)：北京
• 發(fā)行周期：月刊
• 郵發(fā)代號(hào)：2-184

Journal of Semiconductors期刊榮譽(yù)

• 全國(guó)優(yōu)秀科技期刊
• 中國(guó)科技期刊優(yōu)秀期刊

Journal of Semiconductors投稿須知

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3、正文中表示標(biāo)題級(jí)別的序號(hào)形式，一般從大到小依次為：“一”“（一）”“1”“（1）”“①”等?？梢愿鶕?jù)標(biāo)題的實(shí)有級(jí)別，跳過(guò)某些形式的序號(hào)。

4、內(nèi)容摘要篇幅為100~300字，應(yīng)具有獨(dú)立性和自含性．可單獨(dú)成文反映論文內(nèi)容，應(yīng)明確指出文章的創(chuàng)新點(diǎn)，避免使用“本文”“作者”等詞。關(guān)鍵詞數(shù)目3 -8個(gè)。

5、正文：文稿應(yīng)具科學(xué)性、實(shí)用性，論點(diǎn)明確，資料可靠，數(shù)據(jù)準(zhǔn)確，層次清晰，文字精練，用詞規(guī)范。正文中的一級(jí)、二級(jí)、三級(jí)標(biāo)題均要求單獨(dú)一行，用阿拉伯?dāng)?shù)字編排序號(hào)，如：1，1.1，1.1.1。

6、腳注中的外文參考文獻(xiàn)要用外文原文，作者、書(shū)名、雜志名字體一致采用Times New Roman，書(shū)名、雜志名等用斜體，其余采用正體。

7、文中如需插圖，請(qǐng)?zhí)峁┣逦恼掌?，或繪制精確的圖、表等，并在稿中相應(yīng)位置留出空白（或用文字注明）。圖、表編號(hào)以全文為序。

8、凡屬?lài)?guó)家、省部級(jí)以上科學(xué)基金資助項(xiàng)目和重點(diǎn)攻關(guān)課題項(xiàng)目文稿，請(qǐng)?zhí)峁┗鹈Q(chēng)和編號(hào)，附在文題后。

9、文章類(lèi)型：征稿要求通常會(huì)說(shuō)明所接受的文章類(lèi)型，如原創(chuàng)研究論文、綜述文章、案例分析、評(píng)論等。您需要了解期刊接受哪些類(lèi)型的文章，并根據(jù)自己的研究?jī)?nèi)容選擇合適的文章類(lèi)型進(jìn)行投稿。

10、參考文獻(xiàn)：參考文獻(xiàn)位于文尾，按首字的拼音首字母順序排序，用序號(hào)[1]、[2]、[3]、[4]……標(biāo)示，若只有一個(gè)參考文獻(xiàn)，則文獻(xiàn)前不加序號(hào)。