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集成電路開(kāi)發(fā)及應(yīng)用范文第1篇

一、充分認(rèn)識(shí)加快發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性

集成電路產(chǎn)業(yè)對(duì)于現(xiàn)代經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展具有高倍增性和關(guān)聯(lián)度。集成電路技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，可以推動(dòng)消費(fèi)類(lèi)電子工業(yè)、計(jì)算機(jī)工業(yè)、通信工業(yè)以及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，集成電路芯片作為傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)智能化改造的核心，對(duì)于提升整體工業(yè)水平和推動(dòng)國(guó)民經(jīng)濟(jì)與社會(huì)信息化發(fā)展意義重大。此外，微電子技術(shù)及其相關(guān)的微細(xì)加工技術(shù)與機(jī)械學(xué)、光學(xué)、生物學(xué)相結(jié)合，還能衍生出新的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)。集成電路技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)的發(fā)展已成為一個(gè)國(guó)家和地區(qū)調(diào)整產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級(jí)、轉(zhuǎn)變?cè)鲩L(zhǎng)方式、改善資源環(huán)境、增強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，帶動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)和領(lǐng)域跨越式發(fā)展的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。

*省資源環(huán)境良好，集成電路設(shè)計(jì)和原材料生產(chǎn)具有比較優(yōu)勢(shì)，具有一批專(zhuān)業(yè)從事集成電路設(shè)計(jì)和原材料生產(chǎn)的企業(yè)及水平較高的專(zhuān)業(yè)人才隊(duì)伍。*省消費(fèi)類(lèi)電子工業(yè)、計(jì)算機(jī)工業(yè)、通信工業(yè)以及利用信息技術(shù)改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)和國(guó)民經(jīng)濟(jì)與社會(huì)信息化的發(fā)展為集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了現(xiàn)實(shí)需求的空間。各級(jí)、各部門(mén)要高度重視集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，有基礎(chǔ)有條件的地區(qū)要充分發(fā)揮地域優(yōu)勢(shì)、資源優(yōu)勢(shì)，加強(qiáng)規(guī)劃，因勢(shì)利導(dǎo)，積極組織和推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，加快招商引資步伐。省政府有關(guān)部門(mén)要切實(shí)落實(shí)國(guó)家和省扶持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的各項(xiàng)政策，積極推動(dòng)和支持*省集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

二、發(fā)展思路和原則

（一）發(fā)展思路。根據(jù)*省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)，當(dāng)前以發(fā)展集成電路設(shè)計(jì)和原材料生產(chǎn)為重點(diǎn)，建成國(guó)內(nèi)重要的集成電路設(shè)計(jì)和原材料生產(chǎn)基地。以?xún)?nèi)引外，促進(jìn)外部資金、技術(shù)、人才和芯片加工、封裝、測(cè)試項(xiàng)目的進(jìn)入，建立集成電路生產(chǎn)基地。

1.大力發(fā)展集成電路設(shè)計(jì)。充分發(fā)揮*省高校、科研單位、企業(yè)集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)優(yōu)勢(shì)，加快集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)法人資格建立和集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)資格認(rèn)證的步伐，與信息產(chǎn)業(yè)和其他工業(yè)領(lǐng)域及國(guó)民經(jīng)濟(jì)與社會(huì)信息化發(fā)展相結(jié)合，促進(jìn)科研、生產(chǎn)、應(yīng)用聯(lián)動(dòng)，建立科研、生產(chǎn)、應(yīng)用、服務(wù)聯(lián)合體，形成有利于集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)成長(zhǎng)和為企業(yè)生產(chǎn)發(fā)展服務(wù)的體制和機(jī)制，促進(jìn)一批已具備一定基礎(chǔ)的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)盡快成長(zhǎng)起來(lái)。進(jìn)一步建立和完善有利于集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策環(huán)境，構(gòu)筑有利于集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的支撐體系和服務(wù)體系，加強(qiáng)與海內(nèi)外的合作與交流，加快人才培養(yǎng)和引進(jìn)，加大對(duì)集成電路設(shè)計(jì)中心、公共技術(shù)平臺(tái)、服務(wù)平臺(tái)、人才交流培訓(xùn)平臺(tái)建設(shè)的投入，重點(diǎn)培植3—5家集成電路設(shè)計(jì)中心，使之成為國(guó)內(nèi)乃至國(guó)際有影響力的企業(yè)。加強(qiáng)人才、技術(shù)、資金、企業(yè)的引進(jìn)，形成一大批集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)和人才隊(duì)伍。密切跟蹤國(guó)際集成電路發(fā)展的新趨勢(shì)，大力發(fā)展和應(yīng)用SOC技術(shù)、IP核技術(shù)，不斷提高自主創(chuàng)新能力，在消費(fèi)類(lèi)電子、通信、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、汽車(chē)電子和其他應(yīng)用電子產(chǎn)品領(lǐng)域形成發(fā)展優(yōu)勢(shì)。

2.加快發(fā)展集成電路材料等支撐產(chǎn)業(yè)。以當(dāng)前*省集成電路材料生產(chǎn)企業(yè)為基礎(chǔ)，通過(guò)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)、技術(shù)改造、引進(jìn)技術(shù)消化吸收再創(chuàng)新、合資合作和引導(dǎo)傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)向集成電路材料生產(chǎn)轉(zhuǎn)移，進(jìn)一步壯大產(chǎn)業(yè)規(guī)模，擴(kuò)大產(chǎn)品系列，增添新的產(chǎn)品品種，提高產(chǎn)品檔次。通過(guò)加快企業(yè)技術(shù)中心建設(shè)，不斷提高自主創(chuàng)新能力；通過(guò)拉長(zhǎng)和完善產(chǎn)業(yè)鏈，積極發(fā)展高純水氣制備、封裝材料等上下游產(chǎn)品，提高配套能力；鼓勵(lì)半導(dǎo)體和集成電路專(zhuān)用設(shè)備儀器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。培養(yǎng)多個(gè)在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率第一的自主品牌，擴(kuò)大出口能力，把*省建設(shè)成為圍繞以集成電路用金絲、硅鋁絲、電路板用銅箔和覆銅板、柔性鍍銅板、金屬膜基板、電子陶瓷基板、集成電路框架和插座、硅晶體材料的研發(fā)和生產(chǎn)為主的集成電路支撐產(chǎn)業(yè)基地。

3.鼓勵(lì)發(fā)展集成電路加工產(chǎn)業(yè)。大力招商引資，通過(guò)集成電路設(shè)計(jì)和原材料生產(chǎn)的發(fā)展，促進(jìn)省外、海外集成電路芯片制造、封裝和測(cè)試業(yè)向*省的轉(zhuǎn)移，推動(dòng)*省集成電路芯片制造、封裝和測(cè)試產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

（二）發(fā)展原則。

1.政府推動(dòng)原則。充分發(fā)揮各級(jí)政府在統(tǒng)籌規(guī)劃、宏觀調(diào)控、資源組織、政策扶持、市場(chǎng)環(huán)境建設(shè)等方面的作用，充分發(fā)揮社會(huì)各方面的力量，推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

2.科研、生產(chǎn)、應(yīng)用、服務(wù)聯(lián)動(dòng)原則。建立科研、生產(chǎn)、應(yīng)用、服務(wù)一體化體系，促進(jìn)集成電路設(shè)計(jì)和最終產(chǎn)品相結(jié)合，集成電路設(shè)計(jì)和設(shè)計(jì)服務(wù)相結(jié)合，公共平臺(tái)建設(shè)和企業(yè)發(fā)展相結(jié)合，設(shè)計(jì)公司之間相結(jié)合，人才培訓(xùn)和設(shè)計(jì)企業(yè)需求相結(jié)合。重點(diǎn)支持共性技術(shù)平臺(tái)、服務(wù)平臺(tái)、人才培訓(xùn)平臺(tái)建設(shè)和科研、生產(chǎn)、應(yīng)用一體化項(xiàng)目研發(fā)。

3.企業(yè)主體化原則。深化體制改革，加快集成電路設(shè)計(jì)中心認(rèn)證，推動(dòng)集成電路設(shè)計(jì)公司（中心）建設(shè)，建立符合國(guó)家扶持集成電路發(fā)展政策和要求的以企業(yè)為主體、自主經(jīng)營(yíng)、自負(fù)盈虧、自主創(chuàng)新、自*發(fā)展完善的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展體制和機(jī)制。

4.引進(jìn)消化吸收與自主創(chuàng)新相結(jié)合原則。加強(qiáng)與海內(nèi)外集成電路行業(yè)企業(yè)、人才的交流合作，創(chuàng)造適合集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策環(huán)境，大力引進(jìn)資金、技術(shù)、人才，加快消化吸收，形成產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新能力，盡快縮短與發(fā)達(dá)國(guó)家和先進(jìn)省市的差距。

5.有所為，有所不為原則。發(fā)揮*省優(yōu)勢(shì)，重點(diǎn)發(fā)展集成電路設(shè)計(jì)、電路板設(shè)計(jì)制造和原材料生產(chǎn)，與生產(chǎn)應(yīng)用相結(jié)合，聚集有限力量，聚焦可行領(lǐng)域，發(fā)揮基礎(chǔ)特長(zhǎng)，形成專(zhuān)業(yè)優(yōu)勢(shì)。

三、發(fā)展重點(diǎn)和目標(biāo)

（一）發(fā)展重點(diǎn)。整合資源，集中政府和社會(huì)力量，建立公共和開(kāi)放的集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)服務(wù)平臺(tái)、行業(yè)協(xié)作服務(wù)平臺(tái)和人才交流培訓(xùn)平臺(tái)。重點(diǎn)扶持建設(shè)以海爾、海信、浪潮、*大學(xué)、哈工大威海國(guó)際微電子中心、濱州芯科等在集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域具有基礎(chǔ)和優(yōu)勢(shì)的集成電路設(shè)計(jì)中心，建設(shè)青島、濟(jì)南集成電路設(shè)計(jì)基地，加快有關(guān)促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的配套政策、措施的制定，重點(diǎn)在以下領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。

1.集成電路設(shè)計(jì)業(yè)。以消費(fèi)類(lèi)電子、通信、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、信息安全和其他應(yīng)用電子產(chǎn)品領(lǐng)域?yàn)橹攸c(diǎn)，以整機(jī)和系統(tǒng)應(yīng)用帶動(dòng)*省集成電路、電路板設(shè)計(jì)業(yè)的發(fā)展，培育一批具有自主創(chuàng)新能力的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，開(kāi)發(fā)一批具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高水平的集成電路產(chǎn)品。

（1）重點(diǎn)開(kāi)展SOC設(shè)計(jì)方法學(xué)理論和設(shè)計(jì)技術(shù)的研究，發(fā)揮其先進(jìn)的整機(jī)設(shè)計(jì)和產(chǎn)業(yè)化能力，大力發(fā)展稅控收款機(jī)等嵌入式終端產(chǎn)品的SOC芯片，努力達(dá)到SOC芯片規(guī)?；a(chǎn)能力。開(kāi)發(fā)采用先進(jìn)技術(shù)的SOC芯片，應(yīng)用于各類(lèi)行業(yè)終端產(chǎn)品。

（2）強(qiáng)化IP核開(kāi)發(fā)標(biāo)準(zhǔn)、評(píng)測(cè)等技術(shù)的研究，積極發(fā)揮IP核復(fù)用技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，以市場(chǎng)為導(dǎo)向，重點(diǎn)研發(fā)MCU類(lèi)、總線(xiàn)類(lèi)、接口類(lèi)和低功耗嵌入式存儲(chǔ)器（SRAM）類(lèi)等市場(chǎng)急需的IP核技術(shù)，加速技術(shù)向產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化。

（3）順應(yīng)數(shù)字音視頻系統(tǒng)的變革，以數(shù)字音視頻解碼芯片和視頻處理芯片為基礎(chǔ)，突破一批音視頻處理技術(shù)，提高*國(guó)電視整機(jī)等消費(fèi)類(lèi)電子企業(yè)的技術(shù)水平和核心競(jìng)爭(zhēng)力。

（4）集中力量開(kāi)展大規(guī)模通信、網(wǎng)絡(luò)、信息安全等專(zhuān)用集成電路的研究與設(shè)計(jì)，力爭(zhēng)取得突破性成果。

（5）重點(diǎn)發(fā)展廣泛應(yīng)用于白色家電、小家電、黑色家電、水電氣三表、汽車(chē)電子等領(lǐng)域的芯片設(shè)計(jì)，在應(yīng)用電子產(chǎn)品芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域形成優(yōu)勢(shì)。

（6）發(fā)揮*省在工業(yè)控制領(lǐng)域的綜合技術(shù)、人才力量及芯片研發(fā)軟硬件資源等方面的優(yōu)勢(shì)，重點(diǎn)發(fā)展部分工業(yè)控制領(lǐng)域的RISC、CISC兩種架構(gòu)的芯片設(shè)計(jì)，并根據(jù)市場(chǎng)需求及時(shí)研發(fā)多種控制類(lèi)芯片產(chǎn)品，形成一定優(yōu)勢(shì)。

2.集成電路材料等支撐產(chǎn)業(yè)。充分利用*省現(xiàn)有集成電路材料生產(chǎn)企業(yè)的基礎(chǔ)條件，加快發(fā)展集成電路材料產(chǎn)業(yè)。重點(diǎn)發(fā)展集成電路用金絲、硅鋁絲、引線(xiàn)框架、插座等產(chǎn)品，同時(shí)注重銅箔、覆銅板、電子陶瓷基片、硅晶體材料及其深加工等產(chǎn)品的發(fā)展，形成國(guó)內(nèi)重要的集成電路材料研發(fā)和生產(chǎn)加工出口基地。支持發(fā)展集成電路相關(guān)支撐產(chǎn)業(yè)，形成上下游配套完善的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。

（1）集成電路用金絲、硅鋁絲。擴(kuò)大大規(guī)模集成電路用金絲、硅鋁絲的生產(chǎn)規(guī)模，力爭(zhēng)到2010年占國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額80%以上。

（2）硅單晶、硅多晶材料。到2010年，3-6英寸硅單晶片由現(xiàn)在的年產(chǎn)600萬(wàn)片發(fā)展到1000萬(wàn)片；單晶棒由目前的年產(chǎn)100噸發(fā)展到200噸。支持發(fā)展高品質(zhì)集成電路用多晶硅材料，填補(bǔ)省內(nèi)空白，至2010年發(fā)展到年產(chǎn)3000噸。

（3）集成電路引線(xiàn)框架。到2010年，集成電路引線(xiàn)框架生產(chǎn)能力由目前的年產(chǎn)20億只提高到年產(chǎn)100億只。

（4）電子陶瓷基板。通過(guò)技改和吸引外資等措施，力爭(zhēng)到2010年達(dá)到陶瓷覆銅板年產(chǎn)160萬(wàn)塊、陶瓷基片年產(chǎn)30萬(wàn)平米的能力。

（5）銅箔、覆銅板。到2010年，覆銅板由目前的年產(chǎn)570萬(wàn)張發(fā)展到800萬(wàn)張，銅箔由目前的年產(chǎn)8500噸發(fā)展到10000噸。

（6）相關(guān)支撐產(chǎn)業(yè)。通過(guò)引進(jìn)技術(shù)和產(chǎn)學(xué)研結(jié)合等多種形式，積極發(fā)展集成電路專(zhuān)用設(shè)備、環(huán)氧樹(shù)脂等塑封材料、柔性鍍銅板和金屬膜等基材、高純水氣制備等相關(guān)產(chǎn)業(yè)。

3.加快大規(guī)模、大尺寸集成電路芯片加工和有關(guān)集成電路封裝、測(cè)試企業(yè)的引進(jìn)。

（二）發(fā)展目標(biāo)。經(jīng)過(guò)“*”期間的發(fā)展，基本建立和完善有利于*省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策環(huán)境、支撐體系和服務(wù)體系，建成20-30家集成電路設(shè)計(jì)中心、2個(gè)集成電路設(shè)計(jì)基地，形成一大批集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)、配套企業(yè)、咨詢(xún)服務(wù)企業(yè)，爭(zhēng)取引進(jìn)3—5家集成電路芯片制造企業(yè)。政府支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的能力進(jìn)一步增強(qiáng)，社會(huì)融資能力進(jìn)一步提高，對(duì)外吸引和接納人才、技術(shù)、資金的能力進(jìn)一步提高，集成電路設(shè)計(jì)、制造對(duì)促進(jìn)*省信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展、傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造和提升國(guó)民經(jīng)濟(jì)與社會(huì)信息化水平發(fā)揮更大作用，并成為*省信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展和綜合競(jìng)爭(zhēng)力提升的重要支撐。促進(jìn)*省集成電路材料產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng)，使其成為國(guó)內(nèi)重要的產(chǎn)業(yè)基地。

四、主要措施和政策

（一）加強(qiáng)政府的組織和引導(dǎo)。制定*省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中長(zhǎng)期發(fā)展規(guī)劃，實(shí)施集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展年度計(jì)劃，《*省支持和鼓勵(lì)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)品指導(dǎo)目錄》，引導(dǎo)產(chǎn)品研發(fā)和資金投向。各地要加強(qiáng)本地集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境建設(shè)，結(jié)合本地實(shí)際制定有利于集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展和人才、資金、技術(shù)進(jìn)入的政策措施。各有關(guān)部門(mén)要加強(qiáng)配合，制定相關(guān)配套措施，形成促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的合力。參照財(cái)政部、信息產(chǎn)業(yè)部、國(guó)家發(fā)改委《集成電路產(chǎn)業(yè)研究與開(kāi)發(fā)專(zhuān)項(xiàng)資金管理暫行辦法》，結(jié)合*省信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展專(zhuān)項(xiàng)資金的使用，對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展予以支持。具體辦法由省信息產(chǎn)業(yè)廳會(huì)同省財(cái)政廳等有關(guān)部門(mén)制定。

（二）加強(qiáng)集成電路設(shè)計(jì)公司（中心）認(rèn)證工作。推動(dòng)體制改革和產(chǎn)權(quán)改革，鼓勵(lì)科技人員在企業(yè)兼職和創(chuàng)辦企業(yè)，通過(guò)政策導(dǎo)向促進(jìn)集成電路設(shè)計(jì)公司（中心）獨(dú)立法人資格的建立。按照國(guó)家《集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)及產(chǎn)品認(rèn)定暫行管理辦法》的有關(guān)規(guī)定，加強(qiáng)對(duì)*省集成電路產(chǎn)品及集成電路企業(yè)認(rèn)定工作。

（三）加強(qiáng)人才引進(jìn)與培養(yǎng)。加強(qiáng)對(duì)集成電路人才的培養(yǎng)和引進(jìn)工作，鼓勵(lì)留學(xué)回國(guó)人員和外地優(yōu)秀人才到*投資發(fā)展和從事技術(shù)創(chuàng)新工作，重點(diǎn)引進(jìn)在國(guó)內(nèi)外集成電路大企業(yè)有工作經(jīng)歷、既掌握整機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)又懂集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)的高層次專(zhuān)業(yè)人才。對(duì)具有普通高校大學(xué)本科以上學(xué)歷的外省籍集成電路專(zhuān)業(yè)畢業(yè)生來(lái)*省就業(yè)的，可實(shí)行先落戶(hù)后就業(yè)政策，對(duì)具有中級(jí)以上職稱(chēng)的集成電路專(zhuān)業(yè)人才來(lái)*省工作的，有關(guān)部門(mén)要優(yōu)先為其辦理相關(guān)人事和落戶(hù)手續(xù)。要加強(qiáng)集成電路產(chǎn)業(yè)人才培養(yǎng)，建立多層次的人才培養(yǎng)渠道，加強(qiáng)對(duì)企業(yè)現(xiàn)有工程技術(shù)人員的再培訓(xùn)。在政策和待遇上加大對(duì)專(zhuān)業(yè)人才的傾斜，鼓勵(lì)國(guó)內(nèi)外集成電路專(zhuān)業(yè)人才到*發(fā)展，建立起培養(yǎng)并留住人才的新機(jī)制。

（四）落實(shí)各項(xiàng)優(yōu)惠政策。各級(jí)、各部門(mén)要切實(shí)落實(shí)《關(guān)于印發(fā)鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》及各項(xiàng)優(yōu)惠政策，將集成電路設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造和原材料生產(chǎn)納入各自的科研、新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、重點(diǎn)技術(shù)攻關(guān)計(jì)劃及技術(shù)中心、重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室建設(shè)計(jì)劃，并給予優(yōu)先支持和安排。集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)適用軟件企業(yè)的有關(guān)政策，集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)品適用軟件產(chǎn)品的有關(guān)優(yōu)惠政策，其知識(shí)產(chǎn)權(quán)受法律保護(hù)。對(duì)于批準(zhǔn)建設(shè)的集成電路項(xiàng)目在建設(shè)期間所發(fā)生的貸款，省政府給予貸款利息補(bǔ)貼。按照建設(shè)期間實(shí)際發(fā)生的貸款利率補(bǔ)貼1.5個(gè)百分點(diǎn)，貼息時(shí)間不超過(guò)3年；在政府引導(dǎo)區(qū)域內(nèi)建設(shè)的，貸款利息補(bǔ)貼可提高至2個(gè)百分點(diǎn)。

集成電路開(kāi)發(fā)及應(yīng)用范文第2篇

一、研究專(zhuān)題和期限

專(zhuān)題一：FPGA器件、配套軟件系統(tǒng)及其測(cè)試技術(shù)的研發(fā)

（一）研究目標(biāo)與內(nèi)容

研究目標(biāo)：

研發(fā)基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的FPGA器件，實(shí)現(xiàn)器件與配套軟件的產(chǎn)品化，并在通信、消費(fèi)類(lèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)控制、互聯(lián)網(wǎng)信息安全等領(lǐng)域得到應(yīng)用。研制與國(guó)際主流芯片兼容的抗輻照百萬(wàn)門(mén)級(jí)FPGA，能夠滿(mǎn)足航空、航天等應(yīng)用工程的需求。

研究?jī)?nèi)容：

1.高性能FPGA器件系統(tǒng)：FPGA器件結(jié)構(gòu)研究，F(xiàn)PGA配套EDA軟件研究，F(xiàn)PGA的封裝測(cè)試技術(shù)研究。

2.百萬(wàn)門(mén)級(jí)FPGA關(guān)鍵技術(shù)：百萬(wàn)門(mén)級(jí)抗輻照FPGA器件及其配套EDA設(shè)計(jì)系統(tǒng)的研究，滿(mǎn)足航空、航天等應(yīng)用工程的需求；

3.多核平臺(tái)化百萬(wàn)門(mén)級(jí)FPGA器件的開(kāi)發(fā)及其配套EDA設(shè)計(jì)系統(tǒng)的研究；

4.FPGA產(chǎn)品化及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用推廣技術(shù)：完成高性能FPGA的產(chǎn)品化，實(shí)現(xiàn)其在通信、消費(fèi)類(lèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)控制、互聯(lián)網(wǎng)信息安全等領(lǐng)域的應(yīng)用。

（二）研究期限：

*年9月30日前完成。

專(zhuān)題二：便攜式多媒體終端、數(shù)字電視中相關(guān)芯片及模塊研發(fā)

（一）研究目標(biāo)與內(nèi)容

研究目標(biāo)：

基于國(guó)內(nèi)主流集成電路制造工藝，研發(fā)便攜式多媒體終端和數(shù)字電視中的相關(guān)芯片、模塊與解決方案，實(shí)現(xiàn)高性能、低功耗，并得到實(shí)際應(yīng)用。

研究?jī)?nèi)容：

1.研究數(shù)字電視各類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)的低功耗、低成本和高性能編、解碼算法及其IP核的實(shí)現(xiàn)，通過(guò)對(duì)各類(lèi)IP的集成及其配套軟件開(kāi)發(fā)，形成移動(dòng)數(shù)字電視和手持多媒體終端芯片開(kāi)發(fā)的SoC平臺(tái)及其應(yīng)用。

2.研究無(wú)線(xiàn)信道解調(diào)關(guān)鍵技術(shù)，研發(fā)融合地面國(guó)標(biāo)和手機(jī)電視功能的信道解調(diào)模塊（芯片），并為終端廠商提供單模塊解決方案。

3.研究高性能的參數(shù)可調(diào)圖像縮放算法、接口技術(shù)、圖像抖動(dòng)處理、伽瑪校正與過(guò)驅(qū)動(dòng)處理等功能模塊專(zhuān)有技術(shù)；開(kāi)發(fā)圖像控制、處理專(zhuān)用芯片以及將各種處理技術(shù)融合的SoC芯片及應(yīng)用系統(tǒng)。

（二）研究期限：

*年9月30日前完成。

專(zhuān)題三：模擬及接口電路產(chǎn)品與應(yīng)用解決方案研發(fā)

（一）研究目標(biāo)與內(nèi)容

研究目標(biāo)：

以通信，消費(fèi)類(lèi)電子，計(jì)算機(jī)及計(jì)算機(jī)接口設(shè)備的市場(chǎng)應(yīng)用為目標(biāo)，設(shè)計(jì)和研發(fā)基于國(guó)

內(nèi)亞微米BCD等工藝技術(shù)的模擬及數(shù)字模擬混合集成電路產(chǎn)品。開(kāi)發(fā)多系列綠色節(jié)能電源

管理芯片產(chǎn)品及整體電源管理解決方案。

研究?jī)?nèi)容：

1.平板顯示器電源管理系統(tǒng)中AC/DC、DC/AC控制、大功率白光LED驅(qū)動(dòng)集成電路和開(kāi)關(guān)系列芯片開(kāi)發(fā)及應(yīng)用解決方案，實(shí)現(xiàn)較高的節(jié)能降耗水平。

2.適合于便攜式電子產(chǎn)品應(yīng)用的模擬及接口集成電路芯片及應(yīng)用解決方案。

3.面向便攜式設(shè)備的多模直流電壓變換控制芯片的開(kāi)發(fā)。

4.應(yīng)用多媒體接口的多媒體數(shù)據(jù)矩陣電路以及相關(guān)的ESD+EMI保護(hù)電路。

（二）研究期限：

*年9月30日前完成。

專(zhuān)題四：寬帶通信領(lǐng)域核心IP和集成電路特種工藝設(shè)計(jì)技術(shù)的研究

（一）研究目標(biāo)與內(nèi)容

研究目標(biāo)：

圍繞國(guó)內(nèi)超深亞微米工藝發(fā)展重點(diǎn)，開(kāi)發(fā)寬帶通信與接入系統(tǒng)用成套電路和關(guān)鍵IP核研究；研究納米級(jí)工藝SoC設(shè)計(jì)所必需的關(guān)鍵技術(shù)、特種工藝設(shè)計(jì)技術(shù)和整體解決方案。

研究?jī)?nèi)容：

1.新型寬帶無(wú)線(xiàn)通信與接入系統(tǒng)的射頻收發(fā)機(jī)芯片和關(guān)鍵IP核研究，研發(fā)相應(yīng)的模塊、系統(tǒng)解決方案及終端產(chǎn)品；數(shù)字基帶關(guān)鍵算法研究及其VLSI實(shí)現(xiàn)研究，完成相應(yīng)關(guān)鍵IP核的嵌入式應(yīng)用。

2.利用無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)實(shí)現(xiàn)有線(xiàn)電視網(wǎng)絡(luò)數(shù)字視頻信息傳輸（EoC）的芯片研發(fā)。

3.面向下一代有線(xiàn)電視網(wǎng)絡(luò)的550MHz～1.2GHz的多載波寬帶接入成套芯片及音視頻寬帶應(yīng)用SoC芯片研究。

4.用于通訊、汽車(chē)電子、太陽(yáng)能利用等領(lǐng)域的特種設(shè)計(jì)技術(shù)，專(zhuān)用控制芯片及應(yīng)用系統(tǒng)的研發(fā)。

（二）研究期限：

*年9月30日前完成。

專(zhuān)題五：超寬帶無(wú)線(xiàn)通信關(guān)鍵射頻集成電路、核心IP研究與實(shí)現(xiàn)

（一）研究目標(biāo)與內(nèi)容

研究目標(biāo)：

基于CMOS工藝技術(shù)，研究應(yīng)用于MB-OFDM超寬帶（UWB）系統(tǒng)的射頻收發(fā)集成電路，提出MB-OFDM-UWB系統(tǒng)的射頻收發(fā)集成電路解決方案，以支持?jǐn)?shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到100Mbps以上，傳輸距離不小于10米的超寬帶通信系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)超寬帶技術(shù)在數(shù)字家庭無(wú)線(xiàn)互連、多媒體視頻傳輸?shù)榷叹嚯x無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域的應(yīng)用。

研究?jī)?nèi)容：

1.研究針對(duì)OFDM超寬帶體系（工作頻段為3.1GHz～4.8GHz或更高）的CMOS射頻收發(fā)器、快速跳頻的頻率綜合器等關(guān)鍵射頻及混合信號(hào)集成電路設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)技術(shù)。

2.開(kāi)發(fā)相應(yīng)的超寬帶ASIC或SoC芯片，特別是超寬帶射頻芯片。

3.研制超寬帶無(wú)線(xiàn)通信試驗(yàn)系統(tǒng)。

（二）研究期限：

*年9月30日前完成。

二、申請(qǐng)方式

1、本指南公開(kāi)。凡符合課題制要求、有意承擔(dān)研究任務(wù)的在*注冊(cè)的法人、自然人均可以從“*科技”網(wǎng)站（）上進(jìn)入“在線(xiàn)受理科研計(jì)劃項(xiàng)目可行性方案”，并下載相關(guān)表格《*市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)科研計(jì)劃項(xiàng)目課題可行性方案（*版）》，按照要求認(rèn)真填寫(xiě)。

2、申報(bào)單位應(yīng)具備較強(qiáng)技術(shù)實(shí)力和基礎(chǔ)，具備實(shí)施項(xiàng)目研究必備條件及匹配資金；鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申請(qǐng)，多家單位聯(lián)合申請(qǐng)時(shí)，應(yīng)在申請(qǐng)材料中明確各自承擔(dān)的工作和職責(zé)，并附上合作協(xié)議或合同。

3、課題責(zé)任人年齡不限，鼓勵(lì)通過(guò)課題培養(yǎng)優(yōu)秀的中青年學(xué)術(shù)骨干。課題責(zé)任人和主要科研人員，同期參與承擔(dān)國(guó)家和地方科研項(xiàng)目數(shù)不得超過(guò)三項(xiàng)。

4、已申報(bào)今年市科委其它類(lèi)別項(xiàng)目者應(yīng)主動(dòng)予以申明，未申明者按重復(fù)申報(bào)不予受理。

5、每一課題的申請(qǐng)人可以提出不超過(guò)2名的建議回避自己課題評(píng)審的同行專(zhuān)家名單（名單需隨課題可行性方案一并提交）。

6、本課題申請(qǐng)起始日期為*年6月4日，截止日期為*年6月25日。課題申報(bào)時(shí)需提交書(shū)面可行性方案一式4份，并通過(guò)“*科技”網(wǎng)站在線(xiàn)遞交電子文本1份。書(shū)面可行性方案集中受理時(shí)間為*年6月19日至25日，每個(gè)工作日上午9：00～下午4：30。所有書(shū)面文件請(qǐng)采用A4紙雙面印刷，普通紙質(zhì)材料作為封面，不采用膠圈、文件夾等帶有突出棱邊的裝訂方式。

7、網(wǎng)上填報(bào)備注：

（1）登陸“*科技”網(wǎng)，進(jìn)入網(wǎng)上辦事專(zhuān)欄；

（2）點(diǎn)擊《科研計(jì)劃項(xiàng)目課題可行性方案》受理并進(jìn)入申報(bào)頁(yè)面：

-【初次填寫(xiě)】轉(zhuǎn)入申報(bào)指南頁(yè)面，點(diǎn)擊“專(zhuān)題名稱(chēng)”中相應(yīng)的指南專(zhuān)題后開(kāi)始申報(bào)項(xiàng)目（需要設(shè)置“項(xiàng)目名稱(chēng)”、“依托單位”、“登錄密碼”）；

-【繼續(xù)填寫(xiě)】輸入已申報(bào)的項(xiàng)目名稱(chēng)、依托單位、密碼后繼續(xù)該項(xiàng)目的填報(bào)。

集成電路開(kāi)發(fā)及應(yīng)用范文第3篇

作為活躍在模擬技術(shù)領(lǐng)域的半導(dǎo)體供應(yīng)商，飛思卡爾半導(dǎo)體一直致力于為嵌入式控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)者提供高度集成的系列功率開(kāi)關(guān)、網(wǎng)絡(luò)、通信、運(yùn)動(dòng)控制和電源管理應(yīng)用產(chǎn)品。這些產(chǎn)品不同于具有單一功能的傳統(tǒng)模擬產(chǎn)品，飛思卡爾可在單個(gè)集成電路中提供多種可改善和簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵功能。用戶(hù)則可受益于這些產(chǎn)品的成本效益并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。本文將結(jié)合飛思卡爾在模擬技術(shù)方面的創(chuàng)新，對(duì)未來(lái)的模擬市場(chǎng)的最新發(fā)展。

滿(mǎn)足模擬市場(chǎng)增長(zhǎng)需求

據(jù)Databeans Estimates預(yù)測(cè)，到2010年全球模擬半導(dǎo)體市場(chǎng)將以12%的復(fù)合增長(zhǎng)率成長(zhǎng)，亞太地區(qū)將高達(dá)17%，中國(guó)市場(chǎng)的增長(zhǎng)尤為可觀，將高達(dá)20%。未來(lái)幾年，通信設(shè)備、消費(fèi)電子產(chǎn)品將是驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Γ淮送獗０?、?shù)字廣播、節(jié)能及監(jiān)控、汽車(chē)電子系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備等需求也將相應(yīng)增加。通信設(shè)備、消費(fèi)電子及電腦仍是中國(guó)三大主要市場(chǎng)；而且，中國(guó)已成為全球最大的手機(jī)生產(chǎn)基地之一。2006年3G通信設(shè)備市場(chǎng)將會(huì)繼續(xù)成為國(guó)內(nèi)最大的垂直整合產(chǎn)品市場(chǎng)。中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)的可觀增長(zhǎng)，將需要更多的模擬集成電路來(lái)支持更多創(chuàng)新的功能，從而刺激對(duì)模擬集成電路的需求。這些都為廠商提供了有利的機(jī)遇和條件。

作為設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)高度集成的混合信號(hào)模擬集成電路的廠商，飛思卡爾不斷將用戶(hù)所需的關(guān)鍵系統(tǒng)功能融入到令人興奮的解決方案中。飛思卡爾的電動(dòng)(power actuation)解決方案包括：低端開(kāi)關(guān)、高端開(kāi)關(guān)、H橋和可配置開(kāi)關(guān)、H橋步進(jìn)電機(jī)、前置驅(qū)動(dòng)器、電爆驅(qū)動(dòng)器、發(fā)動(dòng)機(jī)電壓調(diào)節(jié)器；電源管理解決方案包括：線(xiàn)性穩(wěn)壓器、開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器、熱插拔控制器；網(wǎng)絡(luò)收發(fā)器包括：連接解決方案（CAN物理接口、LIN/ISO9141/J1850物理接口、分布式系統(tǒng)接口元件）和千兆SerDes收發(fā)器；信號(hào)調(diào)整產(chǎn)品包括：彈性I/O；特殊功能及有線(xiàn)通信產(chǎn)品包括：音頻放大器、電流控制器、ISDN、Ringer、UDLT、話(huà)音與數(shù)據(jù)編碼（MC14LC5480系列數(shù)據(jù)信號(hào)編解碼器、過(guò)濾器）；此外還有嵌入式MCU＋功率器件。

飛思卡爾的模擬產(chǎn)品可以在無(wú)線(xiàn)通信、數(shù)字和硬拷貝影像、汽車(chē)和工業(yè)等許多領(lǐng)域應(yīng)用。公司也在將功率控制和電源管理方面的卓越新產(chǎn)品增加到產(chǎn)品線(xiàn)中。

SMARTMOS工藝實(shí)現(xiàn)先進(jìn)功能

飛思卡爾的集成電路功能強(qiáng)大，可為動(dòng)力、控制和通信應(yīng)用提供許多獨(dú)到的特性。專(zhuān)有的SMARTMOS(注:SMARTMOS為飛思卡爾的產(chǎn)品商標(biāo))混合信號(hào)半導(dǎo)體工藝可實(shí)現(xiàn)高密度邏輯與模擬和電源功能的共存，為設(shè)計(jì)者提供顯著的集成優(yōu)勢(shì)。這些優(yōu)勢(shì)包括易于使用、突出的集成電路和負(fù)載保護(hù)特性，同時(shí)還可以減少元件數(shù)量和提高可靠性。

飛思卡爾的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品線(xiàn)包括功率開(kāi)關(guān)集成電路、電源管理集成電路、網(wǎng)絡(luò)收發(fā)器、汽車(chē)安全產(chǎn)品和專(zhuān)用功能器件。這些產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了單個(gè)芯片和集成級(jí)封裝。每種器件都采用SMARTMOS工藝作為通用構(gòu)建模塊，以增加用戶(hù)所需的功能。這些器件可與飛思卡爾的微處理器、微控制器和DSP一起運(yùn)行。

SMARTMOS是嵌入式世界的最佳工藝。其獨(dú)到之處在于結(jié)合了許多模擬器件所必需的特性，包括：NVM、iLDMOS、大電流金屬、高電壓、噪聲免疫性、適應(yīng)惡劣環(huán)境、感性負(fù)載開(kāi)關(guān)和干擾免疫性、105V的能力，等等。這些強(qiáng)大的功能加上工程設(shè)計(jì)匹配能力，使SMARTMOS產(chǎn)品成為了模擬設(shè)計(jì)的理想選擇。

值得一提的是，雖然今天的高密度CMOS工藝具有很高的處理能力，但是它不能與大多數(shù)現(xiàn)實(shí)世界的系統(tǒng)進(jìn)行直接交互。在嵌入式系統(tǒng)中，現(xiàn)實(shí)世界的信號(hào)仍然需要經(jīng)過(guò)處理器，負(fù)載也需要進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此外，處理器還需要有干凈的電源，同時(shí)還要對(duì)其進(jìn)行保護(hù)，以免受到外部世界惡劣電氣環(huán)境的影響。

SMARTMOS是一種融合型CMOS工藝，它集成了精度模擬、功率器件和邏輯電路。采用SMARTMOS技術(shù)的集成電路可以實(shí)現(xiàn)CMOS工藝所無(wú)法得到的性能。嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以將諸如穩(wěn)壓、功率MOSFET、輸入信號(hào)調(diào)節(jié)、瞬態(tài)保護(hù)、系統(tǒng)診斷和控制等功能融入到低成本的單片集成電路中，從而省掉數(shù)十個(gè)元件。

SMARTMOS技術(shù)產(chǎn)的應(yīng)用主要分為四大類(lèi)――電源、通信、保護(hù)和控制。電源產(chǎn)品可以用具有現(xiàn)實(shí)世界能力的模擬/電源接口保護(hù)敏感元件；通信產(chǎn)品是用來(lái)與其主MCU通信實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)通信的器件；保護(hù)產(chǎn)品可對(duì)其本身及其負(fù)載、匹配的MCU和電氣線(xiàn)路進(jìn)行智能保護(hù)，以免受到環(huán)境壓力、故障或過(guò)載的影響；控制產(chǎn)品具有控制驅(qū)動(dòng)大電流和大功率負(fù)載的能力，例如：螺線(xiàn)管、繼電器、燈、電機(jī)和被動(dòng)負(fù)載。

以形式劃分，SMARTMOS產(chǎn)品有3種主要類(lèi)型――單芯片SMARTMOS集成電路、多芯片單封裝智能大功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，以及智能分布式控制產(chǎn)品。這些產(chǎn)品系列之間的通用線(xiàn)程是SMARTMOS硅材料。

SMARTMOS集成電路產(chǎn)品功能豐富，其混合信號(hào)構(gòu)建模塊包括：A/D和D/A轉(zhuǎn)換器、軌對(duì)軌運(yùn)算放大器、比較器、充電泵和柵極驅(qū)動(dòng)器、穩(wěn)壓器、精度參考、數(shù)字邏輯和非易揮發(fā)存儲(chǔ)器。在負(fù)載驅(qū)動(dòng)應(yīng)用方面，還有具備感應(yīng)能量箝位、獨(dú)立熱管理(independent thermal management)、短路保護(hù)(short circuit protection)和負(fù)載感測(cè)診斷(diagnostic load sensing)的功率MOSFET產(chǎn)品。

此外，為滿(mǎn)足網(wǎng)絡(luò)和通信市場(chǎng)發(fā)展的需求，飛思卡爾還開(kāi)發(fā)了千兆SerDes收發(fā)器產(chǎn)品，為市場(chǎng)提供了從分立SerDes解決方案向集成解決方案轉(zhuǎn)移的路徑。飛思卡爾的SerDes產(chǎn)品是一種高帶寬系統(tǒng)內(nèi)或芯片間、板卡間、背板或電纜通信的全雙工和多通道數(shù)據(jù)接口收發(fā)器，可提供優(yōu)異的信號(hào)完整性和最佳的質(zhì)量特性。SerDes產(chǎn)品采用CMOS工藝，可使用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)材料，以降低成本、功耗和風(fēng)險(xiǎn)。

總之，采用SMARTMOS技術(shù)有助于設(shè)計(jì)者滿(mǎn)足高精度元件在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的要求，提供強(qiáng)大的功率晶體管性能。新一代SMARTMOS 7是專(zhuān)門(mén)為0.35μm CMOS電路開(kāi)發(fā)的，與0.5μm CMOS工藝的SMARTMOS 5相比，可提供接近10倍的數(shù)字密度。目前，采用0.25μm工藝的SMARTMOS 8也即將投入生產(chǎn)。

先進(jìn)設(shè)計(jì)平臺(tái)集數(shù)字模擬大成

DigitalPower是飛思卡爾為復(fù)雜集成混合信號(hào)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）解決方案創(chuàng)建的設(shè)計(jì)平臺(tái)。它利用超級(jí)智能功率技術(shù)SMARTMOS可顯著提高數(shù)字密度，幫助系統(tǒng)級(jí)芯片設(shè)計(jì)者經(jīng)濟(jì)有效地將數(shù)字內(nèi)容――微控制器和DSP核、串行接口、存儲(chǔ)器和邏輯――融入在具有高性能模擬和大功率電路的芯片中。

該平臺(tái)是一種真正的混合模式設(shè)計(jì)方法，可以實(shí)現(xiàn)3-A H橋與32MHz微控制器和處理器共存等大功率模擬功能。這種新的方法所提供的低功耗模擬功能包括：運(yùn)算放大器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）、脈沖寬度調(diào)制電路、通用I/O、寬能隙參考、波形發(fā)生器和濾波器。

DigitalPower技術(shù)的最初目標(biāo)是打印機(jī)應(yīng)用。利用DigitalPower能力開(kāi)發(fā)的完整的噴墨打印機(jī)系統(tǒng)級(jí)芯片，集成了8位16.7MHz 68HC05微控制器核、16KB ROM、256字節(jié)RAM、IEEE-1284平行端口接口、DRAM控制器、四通道/8位模數(shù)轉(zhuǎn)換器、系統(tǒng)時(shí)鐘鎖相環(huán)、16位定時(shí)器、16位COP看門(mén)狗定時(shí)器、邏輯門(mén)和4個(gè)25V H橋，以及5V 100mA線(xiàn)性穩(wěn)壓器、1.8 V～3.2V 25mA線(xiàn)性穩(wěn)壓器、開(kāi)關(guān)模式穩(wěn)壓控制器，還有電機(jī)控制專(zhuān)用的硬件特性。所有這一切都集成在一個(gè)100引腳的TQFP封裝中。目前，DigitalPower技術(shù)已廣泛用于影像、數(shù)碼相機(jī)、CD/MP3播放器和其他消費(fèi)產(chǎn)品。其較早的產(chǎn)品是定制設(shè)計(jì)，現(xiàn)在已為這些應(yīng)用開(kāi)發(fā)了標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)級(jí)芯片。為了使ASIC設(shè)計(jì)者獲得DigitalPower的好處，飛思卡爾還創(chuàng)建了一個(gè)數(shù)字、模擬和電源功能程序庫(kù)。這個(gè)開(kāi)放的程序庫(kù)有助于用戶(hù)集成自身的專(zhuān)用功能和IP，也可用于設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和仿真工具。

推動(dòng)模擬集成電路向高端遷移

近20年，模擬集成電路經(jīng)歷了穩(wěn)健快速的發(fā)展；10年來(lái)，消費(fèi)電子產(chǎn)品、通信產(chǎn)品、計(jì)算應(yīng)用市場(chǎng)依然發(fā)展迅猛。與數(shù)字IC相比，模擬集成電路的應(yīng)用依然是高端應(yīng)用，即使數(shù)字集成電路能夠?qū)崿F(xiàn)完成與模擬集成電路相同的任務(wù)，達(dá)到相同的性能，模擬集成電路在通用和大批量市場(chǎng)中依然是高性?xún)r(jià)比的選擇。作為全球重要的制造和采購(gòu)基地，中國(guó)的模擬IC市場(chǎng)依然是全球關(guān)注的焦點(diǎn)，而且在未來(lái)1－2年仍然有著巨大的增長(zhǎng)潛力。

先進(jìn)電子產(chǎn)品需要采用更多的模擬集成電路，以支持更多新的功能。隨著便攜產(chǎn)品的小型化、低功耗要求，3C產(chǎn)品在給模擬器件帶來(lái)巨大市場(chǎng)機(jī)會(huì)的同時(shí)，也對(duì)其提出更苛刻的要求。從整體趨勢(shì)來(lái)說(shuō)，速度、功耗、準(zhǔn)確度、噪聲及失真率等都是衡量電子產(chǎn)品性能的重要參數(shù)，這幾方面的要求將日趨嚴(yán)格。這些正是廠商開(kāi)發(fā)高性能的模擬芯片及子系統(tǒng)所追求的目標(biāo)。

集成電路開(kāi)發(fā)及應(yīng)用范文第4篇

關(guān)鍵詞：集成電路；測(cè)試；PMU Device Characterization

中圖分類(lèi)號(hào)：TP311.52 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1674-7712 (2012) 10-0033-01

一、測(cè)試系統(tǒng)的基本介紹

傳統(tǒng)的集成電路的測(cè)試以SOC技術(shù)為主，SOC的復(fù)雜程度非常高，在一塊芯片內(nèi)不僅可能包含CPU、DSP、存儲(chǔ)器、模擬電路等多種芯片，甚至還可能包括射頻電路、光電器件、化學(xué)傳感器等器件，因而SOC的測(cè)試系統(tǒng)，具備數(shù)字、混合信號(hào)、存儲(chǔ)器、射頻等各種測(cè)試，同時(shí)各個(gè)模塊之間還不會(huì)產(chǎn)生相互影響。

一般的集成電路的測(cè)試系統(tǒng)稱(chēng)為ATE，測(cè)試系統(tǒng)主要由單片機(jī)模塊（CPU）、DC（Device Characterization）測(cè)量模塊和通道傳輸模塊等組成。各個(gè)模塊之間通過(guò)總線(xiàn)單元進(jìn)行數(shù)據(jù)交換和連接。而隨著現(xiàn)代測(cè)試技術(shù)的發(fā)展，較好測(cè)試系統(tǒng)組成主要的還有：由電子電路和機(jī)械硬件組成，是在同一個(gè)主控制器指揮下的電源、計(jì)量?jī)x器、信號(hào)發(fā)生器、模式（pattern）生成器和其他硬件項(xiàng)目的集合體。

二、整個(gè)系統(tǒng)主要組成

（一）單片機(jī)模塊（CPU）---測(cè)試系統(tǒng)的心臟

該模塊是所有數(shù)字測(cè)試系統(tǒng)都含有的基本模塊，是測(cè)試系統(tǒng)的起點(diǎn)?！癈PU”是系統(tǒng)的控制中心，這里的CPU與計(jì)算機(jī)中的中央處理器不同，它由控制測(cè)試系統(tǒng)的計(jì)算機(jī)及數(shù)據(jù)的基本I/O通道組成。許多新的測(cè)試系統(tǒng)提供一個(gè)網(wǎng)絡(luò)接口用以傳輸測(cè)試數(shù)據(jù)；計(jì)算機(jī)硬盤(pán)和Memory用來(lái)存儲(chǔ)本地?cái)?shù)據(jù)；顯示器及鍵盤(pán)提供了測(cè)試操作員和系統(tǒng)的接口。

（二）DC（Device Characterization）測(cè)量模塊

DC子系統(tǒng)包含有DPS（Device Power Supplies，器件供電單元）、RVS（Reference Voltage Supplies，參考電壓源單元）、PMU（Precision Measurement Unit，精密測(cè)量單元）。

1.DPS與RVS單元

被測(cè)器件的電源管腳所需要的電流及電壓是由DPS所供給的；而系統(tǒng)內(nèi)部的管腳測(cè)試單元的比較電路以及驅(qū)動(dòng)所需要的參考電壓，則是由RVS單元來(lái)供給，包括了VOL、VIH、VOH、VIL四種電壓設(shè)置方式。而相對(duì)比較老的測(cè)試系統(tǒng)中，所擁有的RVS也是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較少的，所以在測(cè)試程序時(shí)，所提供的輸出、輸入電平也是比較少。。一些測(cè)試系統(tǒng)稱(chēng)擁有“per pin”的結(jié)構(gòu)，就是說(shuō)它們可以為每一個(gè)pin獨(dú)立地設(shè)置輸入及輸出信號(hào)的電平和時(shí)序。

2.PMU電路

PMU用于精確的DC參數(shù)測(cè)量，它把驅(qū)動(dòng)電流送入被測(cè)器件而去測(cè)量電壓或者為器件加上電壓而去測(cè)量產(chǎn)生的電流。PMU的數(shù)量跟測(cè)試機(jī)的級(jí)別有關(guān)，低端的測(cè)試機(jī)往往只有一個(gè)PMU，用共享的方式被測(cè)試通道逐次使用；中端的則有一組PMU，通常為8個(gè)或16個(gè)，而一組通道往往也是8個(gè)或16個(gè)，可以整組逐次使用；而高端的測(cè)試機(jī)則會(huì)采用每個(gè)channel配置一個(gè)PMU。

（三）通道傳輸模塊

1.通道單元

通道單元有兩個(gè)功能，一是把測(cè)試碼合成最終的測(cè)試信號(hào)施加到DUT（Device under test，被測(cè)器件），二是比較及分析DUT的返回信號(hào)，并且通過(guò)總線(xiàn)，將所得到的結(jié)果返回單片機(jī)模塊。利用邏輯控制單元以及譯碼電路，控制總線(xiàn)對(duì)DUT管腳的地址實(shí)現(xiàn)設(shè)定并控制，而DUT管腳數(shù)據(jù)的輸出及輸入功能，則是由控制單元驅(qū)動(dòng)和管腳驅(qū)動(dòng)所共同控制著的繼電器陣列來(lái)進(jìn)行的。VIH（VIL）是由DPS模塊設(shè)定產(chǎn)生的測(cè)試所需的高（低）驅(qū)動(dòng)電平?？偩€(xiàn)發(fā)送由程序預(yù)先生成的測(cè)試向量，電平轉(zhuǎn)換與驅(qū)動(dòng)單元把測(cè)試向量轉(zhuǎn)換為設(shè)定電平的測(cè)試時(shí)序波形，管腳驅(qū)動(dòng)與控制單元控制繼電器陣列將要輸入的波形施加到DUT的輸入管腳。

2.芯片引腳電路

芯片腳電路是測(cè)試系統(tǒng)資源部和待測(cè)期間之間的接口，它給待測(cè)器件提供輸入信號(hào)并接收待測(cè)器件的輸出信號(hào)。

每個(gè)測(cè)試系統(tǒng)都有自己異于其它系統(tǒng)的設(shè)計(jì)但是通常其芯片引腳電路都會(huì)包括：

（1）配有輸入信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電路。

（2）切換驅(qū)動(dòng)及對(duì)電流負(fù)載輸入輸出選擇通道電路。

（3）比較輸出電平的電壓檢驗(yàn)電路。

（4）芯片引腳電路與PMU的連接電路。

（5）能夠編程控制的電流負(fù)載。

（6）提供能測(cè)試高速電流的輔助電路。

3.總線(xiàn)單元

總線(xiàn)（Bus）是各種功能部件之間傳送信息的公共通信干線(xiàn)，它是由導(dǎo)線(xiàn)組成的傳輸線(xiàn)束，按照所傳輸?shù)男畔⒎N類(lèi)，是用于各個(gè)模塊和單元傳遞信息的公用通道，各個(gè)部分通過(guò)總線(xiàn)相連接，通過(guò)總線(xiàn)單元進(jìn)行數(shù)據(jù)連接和交換。

三、結(jié)束語(yǔ)

隨著數(shù)字技術(shù)不斷發(fā)展，在消費(fèi)電子、通信和計(jì)算等領(lǐng)域?qū)y(cè)試技術(shù)不斷提出的挑戰(zhàn)，適應(yīng)測(cè)試和組裝外包已經(jīng)成為發(fā)展趨勢(shì)的必然要求。盡管集成電路的測(cè)試技術(shù)伴著新的測(cè)試?yán)砟?、新的測(cè)試流程、方法和技術(shù)不斷的出現(xiàn)。但從整個(gè)系統(tǒng)的角度出發(fā)，測(cè)試系統(tǒng)都是從單片機(jī)模塊、DC測(cè)量模塊和通道傳輸模塊等基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)。

參考文獻(xiàn)：

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集成電路開(kāi)發(fā)及應(yīng)用范文第5篇

關(guān)鍵詞：集成電路；靜電防護(hù)；研究措施

DOI：10.16640/ki.37-1222/t.2016.13.158

0 引言

在現(xiàn)代社會(huì)，隨著微米等新技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用，集成電路的構(gòu)造更加簡(jiǎn)便實(shí)用。由于集成電路的簡(jiǎn)單化設(shè)計(jì)，因而內(nèi)部?jī)?nèi)絕緣層變得很薄，對(duì)靜電的抵抗能力也就相對(duì)變?nèi)鮗1]。集成電路在生產(chǎn)到運(yùn)輸過(guò)程，都會(huì)不同程度的受到靜電影響。

1 集成電路產(chǎn)生的靜電

1.1 靜電產(chǎn)生原因

靜電，指停留在物體表面由于正負(fù)電荷失去平衡產(chǎn)生的電能。摩擦起電，也是產(chǎn)生靜電的直接原因[2]。摩擦起電，主要是因?yàn)閮煞N物質(zhì)的接觸表面在摩擦?xí)r，由于停留在自身的電荷不同而產(chǎn)生的排斥現(xiàn)象。在這個(gè)電荷轉(zhuǎn)化過(guò)程中，物質(zhì)內(nèi)部的機(jī)械能轉(zhuǎn)化為內(nèi)能，在轉(zhuǎn)化過(guò)程中，物質(zhì)的原子結(jié)構(gòu)由于物質(zhì)表面的能量進(jìn)入原子結(jié)構(gòu)，原子結(jié)構(gòu)增加能量，使得電子脫離原子核，自動(dòng)外放的物理反應(yīng)，在這種物力反應(yīng)中，產(chǎn)生的電子所帶的是正電荷；而另一物質(zhì)的表面在進(jìn)行相似的物理反應(yīng)時(shí)，外放的電子所帶的是負(fù)電荷。因此，當(dāng)兩個(gè)物質(zhì)摩擦?xí)r，由于正負(fù)電荷的反應(yīng)，就會(huì)造成因摩擦產(chǎn)生靜電。另外感應(yīng)帶電也是物體產(chǎn)生靜電的原因。感應(yīng)帶電，指由于外電場(chǎng)的作用，電場(chǎng)力過(guò)大會(huì)產(chǎn)生電子脫離原子核，從而產(chǎn)生的靜電現(xiàn)象。

1.2 影響靜電的因素

靜電產(chǎn)生的因素有很多，主要包括物理環(huán)境、物體材質(zhì)和運(yùn)動(dòng)狀況三種。物理環(huán)境對(duì)產(chǎn)生靜電的影響，是指由于物體的因?yàn)榄h(huán)境改變，靜電量的數(shù)量隨著物質(zhì)內(nèi)部溫度升高而增加，相反靜電量的數(shù)量隨著物質(zhì)內(nèi)部溫度的降低而減少。在這種物理環(huán)境中，集成電路產(chǎn)生的靜電和內(nèi)部的物理環(huán)境溫度有關(guān)[3]。應(yīng)注意做好物力環(huán)境對(duì)集成電路產(chǎn)生的靜電作用。物體材質(zhì)對(duì)靜電產(chǎn)生的影響，是指物體材質(zhì)的不同，也會(huì)影響自身受到外力作用下，產(chǎn)生的靜電量，如果物體材質(zhì)導(dǎo)向性能良好，就比較容易產(chǎn)生電荷，在與其他物體摩擦?xí)r或者外力的作用下，很容易在物體表面產(chǎn)生靜電量；相反，如果物體材質(zhì)屬于絕緣性能良好的材質(zhì)，那么在外力作用下或者與其他物體摩擦?xí)r，產(chǎn)生的靜電量也會(huì)由物體材質(zhì)自動(dòng)引導(dǎo)出去，產(chǎn)生的靜電量很少或者根本沒(méi)有。運(yùn)動(dòng)狀況對(duì)靜電的影響，是指物體的運(yùn)動(dòng)速度和受力大小等運(yùn)動(dòng)狀況都會(huì)造成靜電的產(chǎn)生。例如物體的運(yùn)動(dòng)速率過(guò)快，受到的碰撞力就會(huì)增大，阻力就會(huì)變小，接觸面的面積就會(huì)增大，壓力同時(shí)也會(huì)增大，物體在這種運(yùn)動(dòng)狀況中，因與地面摩擦等產(chǎn)生的靜電量就會(huì)很大，危害也會(huì)很大；相反如果物體的運(yùn)動(dòng)狀況很平穩(wěn)，受到的碰撞力就會(huì)減小，阻力變大，在這種情況中，物體的運(yùn)動(dòng)狀況產(chǎn)生的靜電量就會(huì)很小，一般很難發(fā)現(xiàn)。

1.3 靜電的危害

目前現(xiàn)階段化纖物質(zhì)在物理和化學(xué)生產(chǎn)中，應(yīng)用都非常廣泛?；w物質(zhì)本身就屬于導(dǎo)向性良好的材料，產(chǎn)生靜電現(xiàn)象普遍，如果這種電荷不能及時(shí)引導(dǎo)，靜電量就會(huì)變得很大，危害也大。但是化纖物質(zhì)產(chǎn)生的靜電受人體動(dòng)作的制約，比較明顯。

靜電是造成集成電路受破壞的主要因素。因?yàn)樵陟o電放電的過(guò)程中，對(duì)集成電路形成作用力，這種作用力包括造成電路失效的硬擊穿和軟擊穿。在這兩種作用力的共同作用下，集成電路的使用期限和使用范圍都會(huì)嚴(yán)重受到制約，如果集成電路的靜電量不能及時(shí)解決，就會(huì)對(duì)集成電路的性能和使用質(zhì)量造成影響，也會(huì)造成集成電路報(bào)廢。

2 集成電路的防靜電措施

2.1 生產(chǎn)過(guò)程

集成電路在生產(chǎn)過(guò)程，容易產(chǎn)生靜電的原因：人為因素、環(huán)境因素和選材因素。人為因素，是指工作人員和電路板的接觸，導(dǎo)致集成電路留有靜電。對(duì)這種人為因素，應(yīng)從生產(chǎn)車(chē)間制服統(tǒng)一入手，統(tǒng)一規(guī)定著裝防靜電的防化服裝，避免人為因素在生產(chǎn)過(guò)程中，產(chǎn)生的靜電停留集成電路表面，不易察覺(jué)的問(wèn)題。環(huán)境因素，是指貯存環(huán)境溫度過(guò)高，容易引發(fā)集成電路靜電的產(chǎn)生。針對(duì)這種問(wèn)題，應(yīng)對(duì)集成電路的貯藏進(jìn)行封閉式管理，盡量選擇在溫度可以控制調(diào)節(jié)的生產(chǎn)車(chē)間，避免因?yàn)橘A藏環(huán)境造成集成電路出現(xiàn)靜電的問(wèn)題。選材因素，是指在選擇原材料方面，應(yīng)傾向使用絕緣線(xiàn)良好的材質(zhì)，可以對(duì)集成電路表面停留的靜電及時(shí)引導(dǎo)，減少靜電對(duì)集成電路產(chǎn)生破壞作用。

2.2 運(yùn)輸過(guò)程

集成電路容易產(chǎn)生靜電的原因是生產(chǎn)過(guò)程和運(yùn)輸過(guò)程。針對(duì)運(yùn)輸過(guò)程，為了有效實(shí)現(xiàn)防靜電的產(chǎn)生，應(yīng)從電路板的運(yùn)動(dòng)狀況入手。在運(yùn)輸過(guò)程中，應(yīng)避免過(guò)快行駛或者猛踩剎車(chē)，產(chǎn)生運(yùn)輸車(chē)廂嚴(yán)重失去平衡，在這種情況下產(chǎn)生靜電量也是可以有效避免的，同時(shí)也是集成電路出廠后容易產(chǎn)生的問(wèn)題。同時(shí)針對(duì)，工作人員和搬運(yùn)人員，應(yīng)統(tǒng)一著橡膠制品衣服，盡量減少集成電路在搬運(yùn)途中，避免因?yàn)槟Σ廉a(chǎn)生的靜電問(wèn)題。

2.3 完善管理制度

針對(duì)集成電路的靜電防護(hù)措施，最直接最根本的要從管理制度開(kāi)始。只有嚴(yán)格有效的管理制度，才能形成有效的約束力，對(duì)各個(gè)階層的人員進(jìn)行統(tǒng)一規(guī)范，才可以從根本上做好靜電防護(hù)工作。在集成電路靜電產(chǎn)生的原因中，多數(shù)是人為因素和潛在的人為因素，都應(yīng)該得到具體解決。同時(shí)也應(yīng)加強(qiáng)安全巡檢制度，對(duì)集成電路的生成過(guò)程和運(yùn)輸過(guò)程，都要加強(qiáng)抽檢，確保集成電路得到安全生產(chǎn)和放心運(yùn)輸，盡量減少靜電量在集成電路的產(chǎn)生，也也是有效做好靜電防護(hù)工作的關(guān)鍵。靜電防護(hù)器材也應(yīng)加強(qiáng)開(kāi)發(fā)，靜電防護(hù)器材包括集成電路的包裝器材、儲(chǔ)藏器材和運(yùn)輸器材。針對(duì)靜電防護(hù)工作，應(yīng)全方面入手，才有利于完成做好靜電防護(hù)工作。

3 結(jié)束語(yǔ)

集成電路的生產(chǎn)到實(shí)際應(yīng)用，都會(huì)受到很多方面的影響，產(chǎn)生靜電量。靜電量的產(chǎn)生多數(shù)是可控因素，只有針對(duì)可控因素做出應(yīng)對(duì)措施，才能有效解決集成電路的靜電防護(hù)工作。對(duì)集成電路的選材控制、生產(chǎn)過(guò)程可控因素的處理和運(yùn)輸過(guò)程可控因素的處理，都需要完整的制度來(lái)形成約束力，通過(guò)各方面的努力才可以實(shí)現(xiàn)靜電防護(hù)工作，從而減少靜電對(duì)集成電路的影響，保證集成電路的質(zhì)量和使用期限。

參考文獻(xiàn)：

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